化学气相沉积法生长二维质料：可控制备、高质量质料及生长机理 ...

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原标题：化学气相沉积法生长二维质料：可控制备、高质量质料及生长机理

二维质料具有高迁徙率、带隙可调、大比外貌积和原子级厚度等长处，在电子、光电子、传感器、柔性器件等范畴具有广阔的应用远景。质料的可控制备是二维质料应用的条件，化学气相沉积（CVD）是制备二维质料的紧张方法。然而，当前制备化合物二维质料重要以固相前驱体为质料，其升华和扩散过程复杂且难以控制、生长体系中质料制备反应和副反应共存，这给质料制备的可控性、重复性和高质量质料的获取带来了巨大挑衅。

CVD生长化合物二维质料表示图及此中涉及的关键困难

克日，清华-伯克利深圳学院（TBSI）低维质料与器件实行室成会明、刘碧录团队受邀在综述期刊《质料研究述评》（Accounts of Materials Research）上发表了题为 《化学气相沉积法生长化合物二维质料: 可控制备、高质量质料及生长机理》（Chemical Vapor Deposition Growth of Two-dimensional Compound Materials: Controllability, Material Quality, and Growth Mechanism）的综述文章。该综述以二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）为例，回首了CVD生长二维质料的希望，总结了比年来研究职员创建的具有远景的生长计谋，并重点讨论了CVD生长二维质料中涉及的关键科学和技能困难，包罗非金属前驱体、金属前驱体、衬底工程、温度、气流等的控制计谋和方法。该文还对CVD生长二维质料的机理研究举行了总结。末了，文章指出了CVD生长二维质料范畴将来的研究方向，此中包罗：新型二维质料的制备（如稳固p型半导体质料、高迁徙率二维质料、宽带隙二维质料、窄带隙二维质料），CVD生长联合后处置惩罚以得到新型二维质料和异质布局，新颖物性与应用探索。该论文对计划CVD生长体系、进步生长可控性、制备高质量二维质料及明白相干质料制备机理等具有引导意义。

CVD生长二维质料研究预测

该论文第一作者为清华-伯克利深圳学院2017级博士生唐磊和2018级博士生谭隽阳，论文作者还包罗2019级博士生农慧雨。论文通讯作者为成会明院士和刘碧录副传授。该研究相干工作得到了国家天然科学基金委庞大项目、重点国际互助项目、优青项目，以及深圳市科创委和工信局等部分的支持。

泉源：清华大学深圳先辈研究院

原文链接：

http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/accountsmr.0c00063返回搜狐，检察更多

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